Gallium Nitride (GaN), kluczowy komponent dla elektroniki mocy, napędza postępowy przełom w tej dziedzinie. Przez wiele lat tranzystory MOSFET na bazie krzemu były fundamentem naszego współczesnego życia, wspierając transformację energii w moc. Jednak zbliżamy się do teoretycznej granicy, w której krzemowe MOSFET-y mogą być ulepszane i stają się coraz mniej efektywne energetycznie. W obliczu rosnących wymagań dotyczących gęstości mocy i wydajności oraz trendów związanych z regulacjami dotyczącymi zanieczyszczenia środowiska, krzem nie spełnia już współczesnych oczekiwań.
Gallium Nitride (GaN) zastępuje krzem jako podstawowa technologia przełączania mocy, ponieważ oferuje lepszą efektywność, wydajność systemu oraz niższe koszty przy rosnących wymaganiach w zakresie systemów energetycznych.
Większa moc w mniejszej przestrzeni: Urządzenie 1U dostarcza do 24kW mocy, co oznacza więcej mocy przy zachowaniu kompaktowych rozmiarów.
Zwiększona efektywność energetyczna: Wzmacniacze generują mniej ciepła, co zmniejsza potrzebę chłodzenia i jest bardziej przyjazne dla środowiska.
Niższa waga: Tranzystory GaN pozwalają na lżejszą konstrukcję, co jest korzystne w zastosowaniach przenośnych i scenicznych.
Tranzystory Gallium Nitride (GaN) zyskują coraz większe znaczenie w branży audio dzięki swoim wyjątkowym parametrom, które mogą znacząco poprawić jakość wzmocnionego dźwięku.
GaN charakteryzują się szybszą prędkością przełączania i niższą pojemnością wyjściową w porównaniu do tradycyjnych tranzystorów krzemowych, co pozwala im dostarczać sygnały audio z większą dokładnością i mniejszymi zniekształceniami. W efekcie dźwięk jest czystszy, bardziej wyrazisty i wierniejszy oryginalnemu źródłu dźwięku.
W połączeniu z naszym nowoczesnym procesorem DSP, seria GN oferuje potężne, dźwiękowo czyste i ekonomiczne rozwiązanie.
Wzmacniacze FAVO GND4400 (GaN DSP 4in 4out) na stanowisku testowym opuszczają fabrykę.